在软磁合金中，Fe是提供磁性的主要成分。为了获得高饱和磁通密度，期望Fe含量尽可能大。然而，Fe含量为70原子％或较高将导致相当低的电阻率。另一方面，Fe含量低于本发明的Fe含量范围的下限，尽管会获得高的电阻率，但会导致相当低的饱和磁通密度。

用符号M表示的稀土元素（以下元素之一：属于元素周期表第3A组的Sc和Y，以及镧系元素，包括La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu Gd，Td，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu等）和符号M'表示的元素（属于元素周期表第4A，5A和6A组的元素之一，例如Ti） Zr，Hf，V，Nb，Ta和W）对于获得软磁性能较为重要。这些元素容易与氧气结合形成氧化物。通过调节这种氧化物的含量，可以实现电阻率的增加。

利用本发明的组成范围，可以获得400至2.0×105μΩ.cm的高电阻率。通过获得高的电阻率，可以减少由涡电流引起的损耗，可以高频范围内的磁导率的减少，并且可以实现高频特性的增加。应当指出的是，Hf被认为具有磁致伸缩的能力。通过在30020至600℃的温度下对合金膜进行退火，可以合金膜的内应力而获得较好的软磁性能。