Fe--Sm--O合金膜和Fe--Ho--O合金膜检查了它们的电阻率对Fe含量。

测定在400℃的温度下进行了退火的这些合金膜的电阻。测量结果示于图2中。 3.在图。在图3中，Fe-Sm-O合金膜用（-。小圆圈-。小圆圈-）表示，Fe-Ho-O型合金膜用（-。实心-。）表示。圆圈-。）。对于两种合金膜，随着Fe含量的减少，电阻率均增加。

在旋转磁场中于400℃的温度下对具有Fed Hfe Of组成的合金膜进行退火6小时，以检查其饱和磁通密度和电阻率对Hf含量。在所检查的Fed Hfe的合金膜中，Hf含量变化，Fe含量保持在45.6原子％以上，O含量在33.5至36.9原子％的范围内。测量结果示于图2和3中。 4和5。

Hf含量的增加导致饱和磁通密度的减少。

另外，通过增加Hf含量，电阻率增加。此外，在热处理之前，检查了具有Fed Hfe Of组成的这些合金膜的饱和磁通密度和不同组成比下的电阻率。测量结果示于图2中。 6.在图。在图6中，指示组成比的点（。）上方的值是电阻率（μΩ.cm），下面给出的值是饱和磁通密度（T）。

展示出了在磁场中经过热处理的软磁合金的矫顽力和磁导率，以及饱和磁通密度和比电阻。