Fe含量越小，电阻率越大。因此，在本发明中，将Fe含量的下限设定为45原子％，以便在实现增加的电阻率的同时保持0.5T以上的饱和磁通密度。

此外，可以看出，即使具有高的Fe含量，Hf含量小于5原子％或O含量小于10原子％也导致相当低的电阻率。表1所示的组成为Fe46.2Hf18.2O35.6的合金在热处理之前的电阻率值为194000μΩ.cm。这表明可以从这种合金获得约2.0×105μΩ.cm的电阻率。

在改变外部磁场频率的情况下进行磁导率（μeff）的测量。所测量的样品是具有Fe54.9 Hf11 O34.1组成的合金膜，铝硅铁合金膜和Co基非晶带，将它们在旋转磁场中在400℃的温度下进行热处理6小时。测量结果示于图2中。 7.在图。在图7中，用实线表示Fe54.9Hf11O34.1合金膜，用虚线表示硅铁合金膜，用点划线表示Co基非晶质薄带。

在铁硅铝硅酸盐薄膜和Co基非晶带中，频率越高，磁导率越低。相反，在本实施方式的软磁性合金中，Fe 54.9 Hf 11 O 34.1的组成为高即使在高频范围内也能保持导磁率，因此提供了用于高频范围的良好的磁性材料。