关于热处理膜化
此外,通过在具有上述组成的软磁合金上在预定的300°C至600°C的温度下进行退火,虹膜可能会显着增加合金的饱和磁通密度,或者调节矫顽力的值,并且在保持饱和磁通密度处于较好的同时,保持其比电阻。因此,通过适当设定退火温度,可以得到具有高饱和磁通密度,根据用途适当的矫顽力和电阻率的软磁性合金。此外,通过选择根据本发明的软磁性合金的热处理条件,可以获得400〜1×105的高电阻率,因此当用于构造磁性元件时,软磁性根据本发明的合金能够在高频范围内涡流损耗,从而提供一种涡流损耗小的磁性元件。此外,通过在基板上形成平面线圈并用缘层覆盖该线圈,并且提供具有如上所述组成的软磁合金的磁性膜,以覆盖平面线圈和缘层以构成诸如电感器的平面磁性元件,可以施加矫顽力低,饱和磁通密度高且对磁性元素的比电阻高的优良软磁合金,从而提供了好的磁芯。轻巧的新型磁性元件。因此,可以提供小且轻的平面磁性元件。
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